Name: Vishay Siliconix IRFBF30STRR
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBF30STRR
Availability: InStock
Rating: 5 (767 reviews)

Vishay Siliconix IRFBF30STRR

Artikelnummer:

IRFBF30STRR

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Datenblätte:

1.IRFBF30STRR.pdf ···: 2D -Zeichnungen
SiHFBF30S.pdf

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Lead free / RoHs compliant

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix IRFBF30STRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFBF30STRR.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.6A (Tc)
Grundproduktnummer	IRFBF30
IRFBF30STRR Einzelheiten PDF [English]	IRFBF30STRR PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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